深度解析SiC技術特點以及應用的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)

轉自：SIC碳化硅MOS管及功率模塊的應用，作者：國產碳化硅器件

摘要：碳化硅(SiC)是一種由硅和碳組成的半導體材料，用于制造用于耐高溫-高壓-高頻等應用的功率器件，例如電動汽車(EV)、脈沖電源、電機控制電路和逆變器。與傳統(tǒng)的硅基功率器件(如IGBT和MOSFET)相比，SiC具有多種優(yōu)勢，后者憑借其成本效益和制造工藝的簡單性長期主導市場。

SiC逆變器是滿足這些要求的關鍵解決方案。除了將輸入直流電轉換為交流電外，逆變器還根據(jù)驅動需要控制提供給電機的功率水平。隨著汽車電動汽車從400V逐漸遷移到800V，逆變器的作用變得更加重要。傳統(tǒng)的逆變器在將能量從電池傳輸?shù)诫姍C方面提供的效率在大約97%到98%之間，而基于SiC的逆變器可以達到高達99%的效率。硅基IGBT和SiC基MOSFET的導通開關損耗之間的比較，SiC的損耗降低了76%。

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